Q:掃描電鏡(SEM)的工作原理是什么?
電子 作為早發(fā)現(xiàn)的基本粒子,是電量小的單元,電量為 1.602189 × 10^-19 庫侖,質(zhì)量為 9.10956 × 10^-31 kg。自然界的原子都由一個帶正電的原子核以及圍繞它運(yùn)動的若干電子組成。
電子的發(fā)射源
在 SEM 中,燈絲作為電子的發(fā)射源十分關(guān)鍵,傳統(tǒng)的 W 燈絲以及飛納電鏡采用的 CeB6 燈絲都是通過熱激發(fā)方式激發(fā)電子。
熱激發(fā)是通過賦予電子更高的能量加熱,使得電子具有超出逸出功的能力,逸出功越高,需要的工作溫度也就越高。
W 燈絲的逸出功為 4.5 eV,CeB6 燈絲的逸出功為 2.6 eV。所以,W 燈絲的工作溫度在 2800K,而 CeB6 只需要在 1800K,工作溫度的不同同樣會影響色差,W 燈絲色差為 2.5 eV,CeB6 色差僅為 1 eV。
燈絲電子發(fā)射原理決定了 CeB6 燈絲可以在更低的溫度下產(chǎn)生比 W 燈絲更高的電流,意味著更高的亮度,更低的色差和更長的壽命。
電子在電場以及磁場中的運(yùn)動
電子在磁場中會受到洛倫茲力的作用,從而改變運(yùn)動的方向,在掃描電鏡中主要體現(xiàn)在物鏡(通電磁線圈產(chǎn)生的磁場會聚電子)以及掃描單元(通電磁線圈產(chǎn)生的磁場偏轉(zhuǎn)電子)。
電子與樣品相互作用
當(dāng)入射電子與樣品相互作用時,會激發(fā)出多種電子信號,包括背散射電子(BSE)、二次電子(SE)等。
背散射電子激發(fā)深度為 1-2μm,主要反映樣品的成分以及晶向等信息,而二次電子激發(fā)深度一般 <10 nm,主要表征樣品的表面形貌信息。
SED 成像,主要反映樣品的表面形貌,在邊緣等處信號量更高。
BSD 成像,主要反映樣品的成分差異,原子序數(shù)較大的組分亮度更高。
Phenom 飛納采用逸出功更低的單晶 CeB6 燈絲,可以在低溫下使電子逸出,有效地降低色差,提升燈絲亮度,延長燈絲使用壽命,并通過電場以及磁場的控制實現(xiàn)電子的加速以及偏轉(zhuǎn),提供 BSD 和 SED 圖像。
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